专利详情

CN111247094B 受控高度的碳纳米管阵列

有效

授权

申请日：2018.07.31

IPC分类号：C01B32/162

公开日：20230728

申请人：江苏天奈科技股份有限公司

发明人：毛鸥;赵安琪;魏兆杰;张美杰;郑涛

专利详情

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发明名称

受控高度的碳纳米管阵列

摘要

本申请公开了包含催化剂的受控高度碳纳米管阵列和与其相关的合成方法。这样的纳米管阵列可以由浸渍在剥离的层状矿物质中以生长碳纳米管阵列的具有一定Fe∶Co∶Ni摩尔比的催化剂粒子制备，其中催化剂的Fe∶Co∶Ni摩尔比用于控制阵列的高度。

著录项目

申请号：CN201880063435.7

公开（公告）号：CN111247094B

申请日：2018.07.31

公开（公告）日：20230728

优先权：20170731 US 62/539,055

同族：中国$美国$欧洲专利局(EPO)$日本$韩国$世界知识产权组织(WIPO)

同族引用文献：6

同族施引专利：4

相关人

申请人：江苏天奈科技股份有限公司

申请人地址：212000 江苏省镇江市镇江新区青龙山路,111号

权利人：江苏天奈科技股份有限公司

权利人地址：212000 江苏省镇江市镇江新区青龙山路,111号

发明人：毛鸥;赵安琪;魏兆杰;张美杰;郑涛

代理机构：中科专利商标代理有限责任公司

代理人：李新红

权利要求

1.一种用于生长碳纳米管阵列的方法，所述方法包括：将层状矿物质氧化以制备剥离的层状矿物质；将所述剥离的层状矿物质浸泡在包含铁盐、钴盐和镍盐的金属离子水溶液中以制备浸渍的层状矿物质；煅烧所述浸渍的层状矿物质以制备负载的催化剂；和在所述负载的催化剂上生长碳纳米管阵列，其中所述金属离子水溶液还包含：(i) Mo或W的盐或它们的组合和(ii) Al或Mg的盐或它们的组合，并且在所述负载的催化剂中，Mo或W的离子在0.5重量%至10重量％的范围内，并且Mg或Al的离子在2重量%至20重量％的范围内，并且其中在所述金属离子水溶液中的铁与钴的摩尔比为200:1至1:5，在所述金属离子水溶液中的铁与镍的摩尔比为200:1至1:5，并且在所述金属离子水溶液中的钴与镍的摩尔比为10:1至1:10。

法律信息概述

有效

授权

2038.07.31

失效

2023.07.28

授权

2020.06.05

申请局首次公开

2018.07.31

授权