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更新日志
CN114127954B 半导体装置及其制造方法
申请日：2021.08.11
IPC分类号：H01L29/778
公开日：20230707
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
发明人：赵起越;石瑜
半导体装置及其制造方法
所述半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、第一源极/漏极(S/D)电极、第二S/D电极、第一栅极电极、第二栅极电极、第一钝化层、导电层和第二钝化层。所述第二氮化物基半导体层安置在所述第一氮化物基半导体层上。所述第一和第二S/D电极以及所述第一和第二栅极电极安置于所述第二氮化物基半导体层上方。所述第一钝化层覆盖所述第一和第二栅极电极。所述导电层安置在所述第一钝化层上方且包含电极部分和场板部分。所述第二钝化层安置在所述导电层上且穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触。
申请号：CN202180004469.0
公开（公告）号：CN114127954B
申请日：2021.08.11
公开（公告）日：20230707
优先权：20210811 CN PCT/CN2021/112110
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：2
同族施引专利：0
申请人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
申请人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
权利人：英诺赛科(苏州)科技有限公司
权利人地址：215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
发明人：赵起越;石瑜
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：林祥
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1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一氮化物基半导体层，其安置在衬底上方；
第二氮化物基半导体层，其安置于所述第一氮化物基半导体层上，且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；
第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方；
第一栅极电极和第二栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方以及所述第一和第二源极/漏极电极之间，所述第一栅极电极比所述第二栅极电极更靠近所述第一源极/漏极电极；
第一钝化层，其安置在所述第二氮化物基半导体层上且覆盖所述第一和第二栅极电极；
导电层，其安置于所述第一钝化层上方且包括：
电极部分，其位于所述第一和第二栅极电极之间且与所述第二氮化物基半导体层接触；以及
场板部分，其位于所述第一和第二栅极电极上方且直接连接到所述电极部分；
所述导电层设置有开口，所述导电层的开口暴露所述第一栅极电极的一部分和/或所述第二栅极电极的一部分，所述开口的延伸方向与所述第一栅极电极和/或所述第二栅极电极的延伸方向一致；
所述第一栅极电极在垂直于所述第一栅极电极的延伸方向上靠近所述第一源极/漏极电极的边缘被所述场板部分连续覆盖；和/或，所述第二栅极电极在垂直于所述第二栅极电极的延伸方向上靠近所述第二源极/漏极电极的边缘被所述场板部分连续覆盖；以及
第二钝化层，其安置在所述第一钝化层和所述导电层上，且具有在所述导电层的所述电极部分和所述场板部分之间的并穿透所述导电层以与所述第一钝化层接触的至少一个部分。
16.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
在衬底上方形成第一氮化物基半导体层；
在所述第一氮化物基半导体层上形成第二氮化物基半导体层；
在所述第二氮化物基半导体层上方形成栅极电极；
在所述第二氮化物基半导体层上形成第一钝化层以覆盖所述栅极电极；
在所述第一钝化层上且横跨所述栅极电极形成毯覆式导电层；以及
图案化所述毯覆式导电层以形成包括场板部分和电极部分的导电层，所述场板部分和电极部分彼此连接且在所述场板部分和所述电极部分之间具有开口，使得所述开口与所述栅极电极的侧壁重叠；
所述开口的延伸方向与所述栅极电极的延伸方向一致；所述栅极电极在垂直于所述栅极电极的延伸方向上的侧壁被所述场板部分连续覆盖。
21.一种半导体装置，其特征在于，包括：
第一氮化物基半导体层，其安置在衬底上方；
第二氮化物基半导体层，其安置于所述第一氮化物基半导体层上，且具有比所述第一氮化物基半导体层的带隙大的带隙；
第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方；
第一栅极电极和第二栅极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方以及所述第一和第二源极/漏极电极之间，所述第一栅极电极比所述第二栅极电极更靠近所述第一源极/漏极电极；
第一钝化层，其安置在所述第二氮化物基半导体层上且覆盖所述第一和第二栅极电极；
第三源极/漏极电极，其位于所述第一和第二栅极电极之间且与所述第二氮化物基半导体层接触；
场板，其位于所述第一和第二栅极电极上方且直接连接到所述第三源极/漏极电极，其中所述第三源极/漏极电极和所述场板共同地在其间形成至少一个闭合环路开口；
所述第一栅极电极在垂直于所述第一栅极电极的延伸方向上靠近所述第一源极/漏极电极的边缘被所述场板连续覆盖；和/或，所述第二栅极电极在垂直于所述第二栅极电极的延伸方向上靠近所述第二源极/漏极电极的边缘被所述场板连续覆盖；以及
第二钝化层，其安置在所述第一钝化层上且覆盖所述场板以及所述第一、第二和第三源极/漏极电极，其中所述开口被填充为使得至少一个部分与所述第一钝化层接触。