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CN116097458A 全彩LED外延结构

有效

授权

申请日：2020.09.22

IPC分类号：H01L33/32

公开日：20230509

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

发明人：程凯

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发明名称

全彩LED外延结构

摘要

本发明提供了一种全彩LED外延结构，利用对应于衬底的一个单元区的各柱状物面积占比大小不同，从而生长发光层时各柱状物周围的反应气体的流速不同，生长的发光层中各元素的掺入效率不同，进而使得生长的发光层中各元素的组分占比不同，LED的发光波长不同。上述工艺简单，能在一个衬底上制作可用于全彩LED的半导体结构，仅通过调整柱状物的面积占比，来调整发光层的组分占比，从而调整LED的发光波长，减小了全彩LED的制备工序。

著录项目

申请号：CN202080103955.3

公开（公告）号：CN116097458A

申请日：2020.09.22

公开（公告）日：20230509

优先权：20200922 CN PCT/CN2020/116790

同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)$中国台湾

同族引用文献：7

同族施引专利：0

相关人

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

权利人：苏州晶湛半导体有限公司

权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室

发明人：程凯

代理机构：北京布瑞知识产权代理有限公司

代理人：秦卫中

权利要求

一种全彩LED外延结构，其特征在于，包括：衬底(10)，所述衬底(10)的表面包括若干周期排列的单元区(11)，每一所述单元区(11)包括n个子单元区(11a)，n为大于等于2的正整数；多个柱状物(12)，每一所述柱状物(12)对应分布于所述每一所述子单元区(11a)中；依次形成在所述柱状物(12)上表面的发光层(14)以及第二类型的半导体层(15)，所述柱状物(12)中包含与所述第二类型的半导体层(15)导电类型相反的所述第一类型的半导体层(13)，且所述第一类型的半导体层(13)与所述发光层(14)相互接触；其中，每一所述单元区(11)对应的n个所述柱状物(12)的面积占比中至少存在一个所述柱状物(12)的面积占比与其他n-1个所述柱状物(12)的面积占比不同，其中，所述柱状物(12)的面积占比为所述柱状物(12)的水平横截面积与之对应的所述子单元区(11a)的面积之间的比值。

法律信息概述

有效

授权

2040.09.22

失效

2025.10.17

授权

2023.05.09

申请局首次公开

2020.09.22

授权