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更新日志
CN116097459A 全彩发光二极管结构及其制造方法
申请日：2021.04.30
IPC分类号：H01L33/62
公开日：20230509
申请人：镭昱光电科技(苏州)有限公司
发明人：庄永漳
全彩发光二极管结构及其制造方法
本公开提供一种发光二极管结构，该发光二极管结构包括基板、第一半导体层、第二半导体层以及色转换层。第一半导体层形成在基板上，第一半导体层包括在其中形成的第一发光二极管单元和第二发光二极管单元。第一发光二极管单元和第二发光二极管单元发出第一颜色的光。第二半导体层形成在第一半导体层的上方，第二半导体层包括在其中形成的第三发光二极管单元。第三发光二极管单元发出不同于第一颜色的第二颜色的光。色转换层形成在第一发光二极管单元上，用以将第一颜色的光转换为不同于第一颜色和第二颜色的第三颜色的光。
申请号：CN202180019717.9
公开（公告）号：CN116097459A
申请日：2021.04.30
公开（公告）日：20230509
优先权：20200505 US 63/020,061$20210429 US 17/244,147
同族：中国$美国$欧洲专利局(EPO)$日本$韩国$世界知识产权组织(WIPO)
同族引用文献：0
同族施引专利：0
申请人：镭昱光电科技(苏州)有限公司
申请人地址：215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302
权利人：镭昱光电科技(苏州)有限公司
权利人地址：215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园1-B302
发明人：庄永漳
代理机构：北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人：宋永杰
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1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：
基板；
第一半导体层，位于所述基板上，且包括第一发光二极管单元和第二发光二极管单元，其中，所述第一发光二极管单元和所述第二发光二极管单元都发出第一颜色的光；
第二半导体层，位于所述第一半导体层的上方，且包括第三发光二极管单元，其中，所述第三发光二极管单元发出第二颜色的光，所述第一颜色与所述第二颜色不同；以及
色转换层，形成在所述第一发光二极管单元上，以将所述第一颜色的光转换为第三颜色的光，所述第三颜色与所述第一颜色和所述第二颜色都不同。
6.一种发光二极管结构，其特征在于，包括基板和位于所述基板上的多个发光二极管单元，其中所述多个发光二极管单元中的每个发光二极管单元包括：
第一掺杂半导体层；
多量子阱层，形成在所述第一掺杂半导体层上；
第二掺杂半导体层，形成在所述多量子阱层上；
其中，所述多个发光二极管单元包括位于所述基板上且彼此水平相邻的第一发光二极管单元和第二发光二极管单元，
所述第一发光二极管单元的所述第二掺杂半导体层通过位于所述第一掺杂半导体层和所述多量子阱层上方的离子注入材料与所述第二发光二极管单元的所述第二掺杂半导体层电隔离，以及
所述多个发光二极管单元还包括位于所述离子注入材料上方的第三发光二极管单元。
15.一种发光二极管结构的制造方法，其特征在于，包括：
在第一基板上形成第一半导体层，所述第一半导体层包括第一掺杂半导体层、位于所述第一掺杂半导体层上的第一多量子阱层和位于所述第一多量子阱层上的第二掺杂半导体层；
执行第一离子注入操作以在所述第二掺杂半导体层中形成第一离子注入区和第一非离子注入区；
在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层包括第三掺杂半导体层、位于所述第三掺杂半导体层上的第二多量子阱层和位于所述第二多量子阱层上的第四掺杂半导体层；
执行第二离子注入操作以在所述第四掺杂半导体层中形成第二离子注入区和第二非离子注入区；
执行第一蚀刻操作以去除所述第二半导体层的一部分并至少暴露所述第二掺杂半导体层中的所述第一非离子注入区；
执行第二蚀刻操作以暴露形成在所述第一基板中的驱动电路的多个触点；以及
将所述第二掺杂半导体层中的所述第一非离子注入区和所述第四掺杂半导体层中的所述第二非离子注入区分别与所述多个触点电连接。