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CN116134624A 半导体结构的制作方法

审中

实质审查

申请日：2020.09.23

IPC分类号：H01L29/778

公开日：20230516

申请人：苏州晶湛半导体有限公司

发明人：程凯;向鹏

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发明名称

半导体结构的制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体结构的制作方法，包括：提供硅衬底(10)，在硅衬底的上表面外延生长功能层(11)，功能层的材料为Ⅲ族氮化物基材料；向硅衬底与功能层的界面(12)注入离子或在外延生长功能层前，向硅衬底的上表面注入离子，以在界面处引入缺陷。

著录项目

申请号：CN202080103929.0

公开（公告）号：CN116134624A

申请日：2020.09.23

公开（公告）日：20230516

优先权：20200923 CN PCT/CN2020/117158

同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)

同族引用文献：4

同族施引专利：0