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CN116134631A 半导体结构及其制备方法
申请日：2020.09.24
IPC分类号：H01L33/14
公开日：20230516
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
发明人：程凯;刘慰华
半导体结构及其制备方法
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括沿垂直方向设置在衬底上的N型半导体层；所述N型半导体层上沿水平方向形成有至少一个多量子阱结构，在每个所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面形成有P型半导体层；每一所述多量子阱结构包括沿垂直方向依次层叠的多个半导体层，以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元；所述P型半导体层沿垂直方向与所述多量子阱结构的每一所述半导体层均接触。该制备方法用于制备该半导体结构。本申请能够实现P型半导体层所提供载流子的注入方式为侧向注入载流子到设计的每个多量子阱结构的有源区(发光区)中，从而最终形成具有多发光波长的GaN基LED结构材料。
申请号：CN202080104996.4
公开（公告）号：CN116134631A
申请日：2020.09.24
公开（公告）日：20230516
优先权：20200924 CN PCT/CN2020/117531
同族：中国$美国$世界知识产权组织(WIPO)$中国台湾
同族引用文献：6
同族施引专利：0
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
申请人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
权利人：苏州晶湛半导体有限公司
权利人地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
发明人：程凯;刘慰华
代理机构：北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人：乔冠男
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一种半导体结构，其特征在于，其包括：
衬底；
N型半导体层，所述N型半导体层设置在所述衬底上；
多量子阱结构，所述多量子阱结构设置于所述N型半导体层上，所述多量子阱结构包括依次层叠的多个半导体层，以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元；
P型半导体层，所述P型半导体层设置在所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面，所述P型半导体层与所述多量子阱结构的每一所述半导体层均接触。
一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
S1：沿垂直方向在衬底上形成N型半导体层，以形成中间半导体结构；
S2：在所述中间半导体结构上形成多量子阱结构，所述多量子阱结构包括依次层叠的多个半导体层，以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元；
S3：在所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面形成P型半导体层，所述P型半导体层沿垂直方向与每一所述半导体层均接触。