CN103539064B      MEMS结构的牺牲层湿法腐蚀方法及MEMS结构

有效
授权

申请日:2012.07.10

IPC分类号:B81C1/00

公开日:20160302

申请人:无锡华润上华半导体有限公司

发明人:苏佳乐

专利详情
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发明名称

MEMS结构的牺牲层湿法腐蚀方法及MEMS结构

技术领域

微机电系统(MEMS)制造领域

技术问题

前现有的牺牲层制作技术主要为湿法腐蚀和干法腐蚀,这两种技术对于牺牲层的腐蚀形貌均无法进行很好的控制,难以符合特定MEMS结构的要求。

技术方案

提供了一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法方法,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。

技术效果

,可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌,尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌,从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。操作简单、低成本及效率高。

著录项目

申请号:CN201210236844.7

公开(公告)号:CN103539064B

申请日:2012.07.10

公开(公告)日:20160302

优先权:

同族:中国$世界知识产权组织(WIPO)

同族引用文献:5

同族施引专利:1

相关人

申请人:无锡华润上华半导体有限公司

申请人地址:214028 无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号

权利人:无锡华润上华科技有限公司

权利人地址:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

发明人:苏佳乐

代理机构:中国专利代理(香港)有限公司

代理人:张懿$王忠忠

权利要求
    1.一种微机电系统(MEMS)结构的牺牲层湿法腐蚀方法,其特征在于,在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性,进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层;调整所述增黏剂的量包括:对施加增黏剂的牺牲层表面的黏附性进行检测,并且根据黏附性检测结果和所需的腐蚀形貌来调整增黏剂的量。 11.一种微机电系统(MEMS)结构,其特征在于,所述结构包括根据权利要求1-10中任意一种方法所制作的牺牲层。
法律信息概述
有效
授权
2032.07.10
失效
2016.03.02
授权
2014.01.29
申请局首次公开
2012.07.10
授权