CN110240112B      薄膜驱动结构、薄膜驱动结构的制造方法及喷墨装置

有效
授权

申请日:2018.03.09

IPC分类号:B81B1/00

公开日:20220819

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

发明人:谢永林;李令英;刘迪;钱波;张小飞;王文浩;周岩

专利详情
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发明名称

薄膜驱动结构、薄膜驱动结构的制造方法及喷墨装置

技术领域

喷墨装置薄膜驱动器件设计

技术问题

实现薄膜驱动结构的方法工艺复杂,成本高。

技术方案

提供了一种薄膜驱动结构,包括: 具有多个流体通道的基底;位于所述基底上的薄膜层,所述薄膜层的位于所述流体通道上的部分凸起,以形成与所述流体通道连通的压力腔;位于所述薄膜层的避开所述流体通道的部分上的支撑壁。

技术效果

制出的薄膜驱动结构,压力腔与悬空薄膜是一个整体,大大提高了制造精度,制造方法工艺简单、成本较低,可适用于薄膜驱动结构的批量化生产。

著录项目

申请号:CN201810192616.1

公开(公告)号:CN110240112B

申请日:2018.03.09

公开(公告)日:20220819

优先权:

同族:中国

同族引用文献:12

同族施引专利:0

相关人

申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址:215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

权利人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

权利人地址:215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

发明人:谢永林;李令英;刘迪;钱波;张小飞;王文浩;周岩

代理机构:深圳市铭粤知识产权代理有限公司

代理人:孙伟峰

权利要求
    1.一种薄膜驱动结构,其特征在于,包括: 具有多个流体通道的基底; 位于所述基底上的薄膜层,所述薄膜层的位于所述流体通道上的部分凸起,以形成与所述流体通道连通的压力腔; 位于所述薄膜层的避开所述流体通道的部分上的支撑壁,所述支撑壁形成为所述压力腔的墙壁。 7.一种薄膜驱动结构的制造方法,其特征在于,包括: 在基底上形成间隔设置的多个牺牲层; 在所述基底和所述牺牲层上形成薄膜层; 在所述基底上的薄膜层上形成支撑壁; 在所述基底中形成多个流体通道,所述流体通道与所述牺牲层相对; 将所述牺牲层去除,以形成与所述流体通道连通的压力腔,其中,所述支撑壁形成为所述压力腔的墙壁。 9.一种喷墨装置,其特征在于,包括权利要求1至6任一项所述的薄膜驱动结构。
法律信息概述
有效
授权
2038.03.09
失效
2022.08.19
授权
2019.09.17
申请局首次公开
2018.03.09
授权