申请日：2020.01.19

IPC分类号：B23K26/26

发明人：占小红;周旭东;王磊磊

公开日：20201120

申请人：南京航空航天大学

摘要： 本发明涉及激光焊接技术领域，公开了一种双激光束双侧同步焊接装置。所述双激光束双侧同步焊接装置用于对工件进行焊接，包括两个激光头、保护气供给组件及两个高透性气管，激光头用于发射激光束，每个高透性气管与一个所述激光头连接并与所述保护气供给组件相连通，所述高透性气管的出口与所述工件的待焊接位置正对，所述激光束能够穿过所述高透性气管并对待焊接位置进行焊接。本发明的双激光束双侧同步焊接装置不会损伤气管且对焊接位置保护效果好，能够最大程度地减少焊接过程中产生气孔、裂纹等缺陷，焊接质量高。

申请日：2017.03.03

IPC分类号：B81B1/00

发明人：邓敏;李晓波;刘瑞

公开日：20190212

申请人：苏州甫一电子科技有限公司

摘要： 本发明公开了一种具有台阶状结构和真空腔体的微热板及其加工方法，所述微热板包括：第一基片，具有相背对的第一表面和第二表面，该第一表面上依次设置有第一隔热层、绝缘层、台阶状结构层、加热层和钝化层，所述加热层与电极电连接；第二基片，具有第三表面，所述第三表面上设置有第二隔热层；并且，至少是所述第一基片的第二表面与所述第二基片的第三表面密封结合而使所述第一基片与第二基片之间形成至少一真空腔体，所述真空腔体的壁上覆盖有绝热物质。所述微热板具有结构稳定性好，工作能耗低等优点。本发明还公开了所述微热板的加工方法，该加工方法简单易实施，可控性好。

申请日：2015.12.18

IPC分类号：B81B7/02

发明人：尚金堂;罗斌

公开日：20170315

申请人：东南大学

摘要： 本发明公开了一种微玻璃半球谐振陀螺及其圆片级制备方法，其包括复合结构基底；玻璃半球谐振子；嵌入复合结构基底的硅非平面电极；封装玻璃壳盖；玻璃半球谐振子由半球壳和自对准柱子组成，半球壳的内表面和自对准柱子的表面涂有一层金属导电层，通过另一层金属层与硅引出通道连接引出；硅引出通道和硅非平面电极在复合结构基底背面通过金属引线引出。其制备方法包括通过热发泡工艺圆片级制备微玻璃半球谐振子、热回流工艺圆片制备玻璃式硅非平面电极、组装玻璃半球谐振子和玻璃式硅非平面电极、真空封装。本发明制备的半球谐振子直径尺寸在1‑10mm，同时具有高的电极谐振子对准精度。

申请日：2012.03.02

IPC分类号：B23K26/18

发明人：李保家;周明;黄立静;张伟;唐万羿;马明;蔡兰

公开日：20141203

申请人：江苏大学

摘要： 本发明涉及硅基表面陷光结构，特指一种利用可见/近红外超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，可适用于晶体硅和薄膜硅等硅基材料。本发明的目的是克服在先技术上的不足，提供一种利用超短脉冲激光诱导制备硅基表面陷光结构的方法，无需气体或液体作为环境介质，通过表面贴膜法来实现硅基表面结构成形。

申请日：2012.07.10

IPC分类号：B81C1/00

发明人：苏佳乐

公开日：20160302

申请人：无锡华润上华半导体有限公司

摘要： 本发明提供一种微机电系统（MEMS）结构的牺牲层湿法腐蚀方法。根据所述方法，在所述牺牲层表面施加增黏剂并且通过调整所述增黏剂的量来改变牺牲层与光刻胶之间的黏附性，进而以湿法腐蚀得到所需腐蚀形貌的牺牲层。本发明还提供了用所述方法得到的MEMS结构。采用本发明所提供的方法，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌，尤其是得到直线斜坡形的腐蚀形貌，从而使MEMS结构中的后续层有良好的覆盖性。

申请日：2007.08.06

IPC分类号：C07K5/068

发明人：袁建栋

公开日：20130710

申请人：博瑞生物医药技术(苏州)有限公司

摘要： 本发明提供了从阿加曲班中分离提纯阿加曲班的单一异构体——化合物II的新方法。 II

申请日：2018.03.09

IPC分类号：B81B1/00

发明人：谢永林;李令英;刘迪;钱波;张小飞;王文浩;周岩

公开日：20220819

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

摘要： 本发明公开了一种薄膜驱动结构，包括：具有多个流体通道的基底；位于所述基底上的薄膜层，所述薄膜层的位于所述流体通道上的部分凸起，以形成与所述流体通道连通的压力腔；位于所述薄膜层的避开所述流体通道的部分上的支撑壁。本发明也公开了一种薄膜驱动结构的制造方法。本发明还公开了一种包括上述薄膜驱动结构的喷墨装置。通过本发明的薄膜驱动结构的制造方法所制出的薄膜驱动结构，压力腔与悬空薄膜是一个整体，大大提高了制造精度，且工艺简单、成本较低，可适用于薄膜驱动结构的批量化生产。

申请日：2019.04.02

IPC分类号：C12Q1/6825

发明人：曹小卫;王振雨;李巍

公开日：20210716

申请人：扬州大学

摘要： 本发明涉及一种用于检测肺癌标志物miR‑196a的金银纳米线SERS传感器的制备方法及SERS传感器，该方法包括1）将带正电荷的金纳米颗粒以及带负电荷的银纳米线混合，利用静电吸附作用将带正电荷的金纳米颗粒修饰到带负电荷的银纳米线上制备金银双金属纳米线；2）将步骤1）制备得到的金银双金属纳米线偶联到氨基化处理的硅片的抛光面上，制备得到金银纳米线均匀、致密排列的SERS基底；3）在SERS基底表面修饰拉曼信号分子5‑FAM标记的发卡结构DNA探针，构建SERS传感器。本发明具有灵敏度高、特异性强、组装过程简单、检测速度快等优点。

申请日：2019.06.20

IPC分类号：B81B7/00

发明人：夏敦柱;宫旭亮;李锦辉;黄泠潮

公开日：20220211

申请人：东南大学

摘要： 本发明公开了一种基于双光栅检测的微机电陀螺仪及其加工封装方法，陀螺仪的SOI结构自上而下为硅器件层、二氧化硅绝缘层和硅衬底层；硅器件层的第一金属键合区设置于其框架上表面四周，框架中间设有第一十字形通孔，检测组件设于第一十字形通孔内；二氧化硅绝缘层设有与第一十字形通孔相对应的第二十字形通孔，检测组件周围放置在二氧化硅绝缘层上；硅衬底层内设有若干背部通孔；玻璃盖帽背面中心区域设有金属光栅，金属光栅外围区域设有与第一十字形通孔对应的十字形腔体，且设有与检测组件连接的电极圆孔；玻璃盖帽背面四周设有第二金属键合区；SOI结构和玻璃盖帽键合连接。本发明尺寸小、密封性良好、灵敏度高，能实现高精度的光学检测。

申请日：2010.08.11

IPC分类号：B81C1/00

发明人：李刚;胡维

公开日：20150708

申请人：苏州敏芯微电子技术有限公司

摘要： 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。